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Introduction：主要用于生长锗晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢或钼金属绳提升单晶。主炉室和副室之间通过插板阀实现动态隔离。序号参数值1真空度0.1Pa2可充气体氮气或氩气3温度1600℃（0.1℃）4籽晶拉速范围0.1～10mm/min5晶体升降快速范围200mm/min6籽晶转速范围0……
主要用于生长锗晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢或钼金属绳提升单晶。主炉室和副室之间通过插板阀实现动态隔离。
序号 |
参数 |
值 |
1 |
真空度 |
0.1Pa |
2 |
可充气体 |
氮气或氩气 |
3 |
温度 |
1600℃（±0.1℃） |
4 |
籽晶拉速范围 |
0.1～10mm/min |
5 |
晶体升降快速范围 |
200 mm/min |
6 |
籽晶转速范围 |
0～10r/min |
7 |
坩埚升速范围 |
0.01～10mm/min |
8 |
坩埚快速范围 |
100mm/min |
9 |
坩埚转速范围 |
0～10r/min |
10 |
坩埚杆在炉内行程 |
90mm |
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Add：In the New Industrial Park of Xi'an High tech Zone, Shaanxi Province
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